IRFR110
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR110

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFR110 P740 375 PDF 見積
IRFR110 I&r 2000 25 PDF 見積
IRFR110 ir dc96 263 PDF 見積
IRFR110 IR 1,995 324 PDF 見積
IRFR110 InternationalRectifier 6,286 56 PDF 見積
IRFR110 InternationalRectifier 6,286 496 PDF 見積
IRFR110 InternationalRectifier 6,286 40 PDF 見積
IRFR110 INTERN 99470005 1050 PDF 見積
IRFR110 IR 96 50 PDF 見積
IRFR110 IR 98 183 PDF 見積
IRFR110 Vishay 25 PDF 見積
irfr110 2625 PDF 見積
IRFR110 IR 98 183 PDF 見積
IRFR110 IR 97 110 PDF 見積
IRFR110 P740 375 PDF 見積
IRFR110 I&r 2,000 25 PDF 見積
IRFR110 HARRIS 25 PDF 見積
IRFR110 INTERNATIONALRECTIFIER 12 PDF 見積
IRFR110 Siliconix 65 PDF 見積
IRFR110 INTERNATIONALRECTIFIER 11000 PDF 見積
IRFR110 Siliconix 530 PDF 見積
IRFR110 Siliconix 4900 PDF 見積
IRFR110 IR (International Rectifier) 95 288 PDF 見積
IRFR110 International Rectifier (IR) 149 95 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 15 ns
ターンオン遅延時間 6.9 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-252-3
高さ 2.39 mm
長さ 6.73 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 9.4 ns
発売日 1990-01-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
立上り 時間 16 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 4.3 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 25 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2008-06-30
最終納入日 2008-09-30
ドレインソース間抵抗 540 mΩ
入力容量 180 pF