SI2305DS-T1-E3
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SI2305DS-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, トレンチ MOSFET, TO-236
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI2305DS-T1-E3 - 32 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 - 103 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY 6 152 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISH 7 600 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY 2370 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 Vishay 0 2370 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY 148361 1763 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 32 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 103 PDF 見積
Si2305DS-T1-E3 VISHAY 310 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY 1350+ 219 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 SILICONIX/VISHAY 4196 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY(RoHS) 08 1291 PDF 見積
SI2305DS-T1-E3 VISHAY 17+ 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -8 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) -800 mV
1.397 mm
ターンオフ遅延時間 55 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 8 V
ケース/パッケージ SOT-23
素子構成 1回路
立下り 時間 25 ns
発売日 2000-04-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 25 ns
連続ドレイン電流 (ID) 3.5 A
ドレインソース間降伏電圧 8 V
両電源電圧 -8 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 8 V
最大消費電力 1.25 W
消費電力 1.25 W
閾値電圧 -800 mV
最終受注日 2015-06-17
最終納入日 2015-12-16
終端 SMD/SMT