SI2307DS-T1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI2307DS-T1

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 3A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 110 2890 PDF 見積
SI2307DS-T1 VISHAY 313 2196 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX - 68 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 235 10 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX - 26 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX - 5 PDF 見積
SI2307DS-T1 - 25 PDF 見積
SI2307DS-T1 Siliconix 3,473 3000 PDF 見積
SI2307DS-T1 SI 2690 PDF 見積
SI2307DS-T1 VISHAY 2900 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 110 2890 PDF 見積
SI2307DS-T1 VISHAY 313 2196 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 68 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 235 10 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 26 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 5 PDF 見積
SI2307DS-T1 25 PDF 見積
SI2307DS-T1 SILICONIX 1946 PDF 見積
SI2307DS-T1 VISHAY 2004 806 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -30 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 27 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOT-23-3
素子構成 1回路
立下り 時間 9 ns
発売日 1999-03-06
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 9 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 3 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1.25 W
消費電力 1.25 W
最終受注日 2006-07-30
最終納入日 2006-10-30
ドレインソース間抵抗 80 mΩ