SI4134DY-T1-GE3
※写真はイメージであり、
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SI4134DY-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: MOSFETトランジスタ N-CH 30V 9.9A 8ピン SOIC N T/R/MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY 889 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY 21+20+ 35100 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 SILICONIX 432 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 Vishay 9497 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 Vishay 1011 332 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY 9000 PDF 見積
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY 1714+ 5000 PDF 見積
Si4134DY-T1-GE3 Vishay 250 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
4 mm
ターンオフ遅延時間 13 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOIC
高さ 1.75 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 10 ns
発売日 2008-11-20
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 12 ns
重量 186.993455 mg
連続ドレイン電流 (ID) 9.9 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 5 W
消費電力 2.5 W
閾値電圧 1.8 V