SI4599DY-T1-GE3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI4599DY-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: SI4599DY-T1-GE3 2回路 N/P-チャネル MOSFET トランジスタ,4.7 A,6.8 A,40V,8-ピン SOIC
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI4599DY-T1-GE3 VishayIntertechno 2500 PDF 見積
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY 18 1358 PDF 見積
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY 60000 PDF 見積
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY 21+ 2500 PDF 見積
SI4599DY-T1-GE3 Vishay 15000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 40 V
最低動作温度 -55 °C
4 mm
ターンオフ遅延時間 30 ns
ターンオン遅延時間 44 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 40 V
ケース/パッケージ SOIC
高さ 1.75 mm
長さ 5 mm
立下り 時間 13 ns
発売日 2008-11-03
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 2
素子数 2
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 33 ns
重量 540.001716 mg
連続ドレイン電流 (ID) 5.6 A
ドレインソース間降伏電圧 40 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 3.1 W
消費電力 2 W
閾値電圧 1.4 V
コンタクトめっき