SI7100DN-T1-E3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI7100DN-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 26.1A I(D), 8V, 0.0035ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI7100DN-T1-E3 VishayIntertechno 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 8 V
最低動作温度 -50 °C
3.05 mm
ターンオフ遅延時間 53 ns
ターンオン遅延時間 14 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 8 V
高さ 1.04 mm
長さ 3.05 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 8 ns
発売日 2006-06-06
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
耐放射線 なし
立上り 時間 52 ns
連続ドレイン電流 (ID) 26.1 A
ドレインソース間降伏電圧 8 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 8 V
最大消費電力 52 W
最終受注日 2017-06-09
最終納入日 2017-12-09
ドレインソース間抵抗 3.5 mΩ
入力容量 3.81 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 3.5 mΩ