SIHFR014TR-GE3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SIHFR014TR-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 7.7A I(D), 1-素子, N-チャネル, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 13 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ DPAK
立下り 時間 19 ns
発売日 1993-09-01
実装方式 表面実装
素子数 1
耐放射線 なし
立上り 時間 50 ns
連続ドレイン電流 (ID) 7.7 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 25 W