SIHG20N50C-E3
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異なる場合があります。

SIHG20N50C-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: SIHG20N50C-E3 N-チャネル MOSFET トランジスタ, 20 A, 500 V, 3-ピン TO-247AC
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 1,207 4017 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 14000 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 35925 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 24975 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 32900 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 15975 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 2012 9900 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 1207 2221 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 17000 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 22900 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 18 25100 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 21 4100 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VIS 3500 PDF 見積
SIHG20N50C-E3 VISHAY 15000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 500 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 5 V
ターンオフ遅延時間 32 ns
ターンオン遅延時間 80 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 500 V
ケース/パッケージ TO-247-3
高さ 24.99 mm
立下り 時間 44 ns
発売日 2009-09-25
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
立上り 時間 27 ns
重量 38.000013 g
連続ドレイン電流 (ID) 20 A
ドレインソース間降伏電圧 500 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 30 V
最大消費電力 292 W
消費電力 250 W
閾値電圧 5 V
最終受注日 2024-11-04
最終納入日 2025-05-04
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080