SIZ910DT-T1-GE3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SIZ910DT-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 2-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SIZ910DT-T1-GE3 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
5 mm
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
高さ 750 µm
長さ 6 mm
素子構成 2回路
立下り 時間 12 ns
発売日 2011-11-04
実装方式 表面実装
チャネル数 2
素子数 2
ピン数 8
端子数 6
耐放射線 なし
立上り 時間 35 ns
連続ドレイン電流 (ID) 40 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 100 W
ドレインソース間抵抗 7.5 mΩ
入力容量 1.5 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 5.8 mΩ