SQJ479EP-T1_GE3
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SQJ479EP-T1_GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 32A I(D), 80V, 0.033ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -80 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 50 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 80 V
高さ 1.267 mm
発売日 2016-07-19
チャネル数 1
素子数 1
端子数 4
連続ドレイン電流 (ID) 32 A
ドレインソース間降伏電圧 -80 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
消費電力 68 W
定格 AEC-Q101
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 33 mΩ