SUB85N04-03
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SUB85N04-03

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 85A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SUB85N04-03 Siliconix 50 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 137 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 50 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX TWOST 188 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 045B 100 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 60 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 150 PDF 見積
SUB85N04-03 150 PDF 見積
SUB85N04-03 Siliconix 100 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 800 PDF 見積
SUB85N04-03 50 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 200 PDF 見積
SUB85N04-03 SILICONIX 2,004 50 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 95 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 40 V
ケース/パッケージ TO-263-3
素子構成 1回路
立下り 時間 125 ns
発売日 2000-01-24
素子数 1
端子数 2
立上り 時間 90 ns
連続ドレイン電流 (ID) 85 A
ドレインソース間降伏電圧 40 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 250 W
消費電力 3.75 W
ドレインソース間抵抗 3.5 mΩ