RAM

型番 メーカー 概要
KM416V4104CS-6 Samsung EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416C254BJ-5 Samsung EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40
K6T4008C1B-VF70 Samsung 標準 SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
K6F4016U4E-EF55 Samsung 標準 SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48
K4T1G164QF-BCE7000 Samsung EOL NCNR: LTB by 3/17/2014, LTS by 9/17/2014; Replaced by G-die (x8/x16 only)
K4S641632H-UC75 Samsung 同期 DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S560432C-TC75 Samsung 同期 DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S281632F-UC75 Samsung 同期 DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
K4B4G1646D-BFMA Samsung DDR3 DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96
IS64WV12816DBLL-12BLA3 ISSI SRAM チップ 非同期 シングル 2.5V/3.3V 2M-ビット 128K x 16 12ns 車載 48ピン Mini-BGA
IS62WV51216BLL-55TLI-TR ISSI SRAM チップ 非同期 シングル 3.3V 8M-ビット 512K x 16 55ns 44ピン TSOP-II T/R
IS61LV12824-10TQ ISSI SRAM チップ 非同期 シングル 3.3V 3M-ビット 128K x 24-ビット 10ns 100ピン TQFP
IS61C1024AL-12JLI ISSI Static Random Access メモリ (SRAM)
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR ISSI IC DRAM 2GBIT パラレル 96TWBGA/SDRAM - DDR3LメモリIC 2Gb (128M x 16) パラレル 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)
IS43R16160D-6TLI ISSI 同期 ダイナミック Random Access メモリ (SDRAM)
IS42S32400E-6BLI ISSI Obsolete 3ステート Bottom 揮発性 ic メモリ -40℃~85℃ TA 3V 128Mb 180mA
IDT71V65603S133PF Renesas IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP
IDT71V424S-15PHI Renesas 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K X 8-ビット) 標準SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44
IDT7164S15Y Renesas 標準 SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28
IDT7142SA55C Renesas マルチポートSRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP48