MOSFET

型番 メーカー 概要
IRF840ALPBF Vishay POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 8A I(D), 500V, 0.85Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-262AA
IRF737LC Vishay パワー電界効果トランジスタ, 6.1A I(D), 300V, 0.75Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
irf624 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 4.4A I(D), 250V, 1.1Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
IRF540PBF Vishay パワー電界効果トランジスタ, 28A I(D), 100V, 0.077Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
IRF530 Vishay チューブ スルーホール Nチャネル シングル MOSFET トランジスタ 14A Tc 14A 88W 24ns
STW7N95K3 STMicroelectronics STW7N95K3 Nチャネル MOSFET トランジスタ, 7.2A, 950V, 3ピン TO-247
STU60N3LH5 STMicroelectronics STU60N3LH5 Nチャネル MOSFET トランジスタ, 48A, 30V, 3ピン TO-251
STP75NF75FP STMicroelectronics パワー電界効果トランジスタ, 80A I(D), 75V, 0.011Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
STP15NK50ZFP STMicroelectronics STP15NK50ZFP Nチャネル MOSFET トランジスタ, 14A, 500V, 3ピン TO-220FP
STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP Nチャネル MOSFET トランジスタ, 10A, 600V, 3ピン TO-220FP
STN1HNK60 STMicroelectronics パワーMOSFET トランジスタ 600V 8Ω 1A N-Chnnl SUPERMESH MOSFET
SPP17N80C3XKSA1 Infineon パワー電界効果トランジスタ, 17A I(D), 800V, 0.29Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics パワー電界効果トランジスタ, 40A I(D), 1200V, 0.054Ω, 1素子, Nチャネル, 炭化ケイ素, 金属酸化膜半導体FET
RZE002P02TL ROHM 小信号電界効果トランジスタ, 0.2A I(D), 20V, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
RFP2N20 Intersil パワー電界効果トランジスタ, 2A I(D), 200V, 3.5Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
RD3G03BATTL1 ROHM パワー電界効果トランジスタ, 35A I(D), 40V, 0.024Ω, 1素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252
PSMN5R0-30YL,115 Nexperia パワー電界効果トランジスタ, 84A I(D), 30V, 0.008Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MO-235
PMPB30XPEX Nexperia ELITE PROGRAM部品 - PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
NX7002BKHH Nexperia DFN0606 MOSFET N チャネル Enhancement 60V 350mA 3ピン DFN 表面実装 テープ&リール
NVMFS5C460NT1G onsemi パワー電界効果トランジスタ, 71A I(D), 40V, 0.0053Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET