MOSFET

型番 メーカー 概要
FDMC3612 onsemi パワー電界効果トランジスタ, 3.3A I(D), 100V, 0.11Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, mΩ-240BA
FDJ129P onsemi パワー電界効果トランジスタ, 4.2A I(D), 20V, 0.07Ω, 1素子, Pチャネル, シリコン, MOSFET
FDD8874 onsemi トランジスタ, MOSFET, Nチャネル, 30V V(BR)DSS, 18A I(D), TO-252AA
BUZ78 Siemens IC BUZ78 SIPMOS Power トランジスタ 800V 1.5A TO-220AB
BUZ31 Infineon SIPMOS POWER トランジスタ パワー電界効果トランジスタ, 14.5A I(D), 200V, 0.2Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
BUK9M35-80EX Nexperia NEXPERIA - BUK9M35-80EX - MOSFET トランジスタ, N チャネル, 26A, 80V, 0.025Ω, 10V, 1.7V
BUK96180-100A NXP Semiconductors パワー電界効果トランジスタ, 11A I(D), 1素子, Nチャネル, MOSFET
BTS113A Infineon パワー電界効果トランジスタ, 11.5A I(D), 60V, 0.17Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
BSS84PH6327XTSA2 Infineon MOSFET Pチャネル 60V 0.17A SOT23/トランジスタ MOSFET Pチャネル 60V 0.17A 車載 3-ピン SOT-23 T/R
AUIRF2807 Infineon 車載 GRADE HEXFET POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 75V, 0.013Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
3SK131T2 NEC
2SK2176 ROHM パワー電界効果トランジスタ, 5A I(D), 500V, 1.4Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
2SK1891 Panasonic パワー電界効果トランジスタ, 35A I(D), 30V, 0.035Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
1N1186JAN Microchip スイッチングダイオード 200V 35A 2ピン DO-5
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Inc. MOSFET 250V Pチャネル エンハンスメントFET 40Vgss 81pF 2.8nC
DMP1011LFV-7 Diodes Inc. テープ&リール (TR) 表面実装 Pチャネル MOSFET (金属 Oxide) MOSFET トランジスタ 19A Tc 2.16W 12V -55℃~+150℃ TJ
DMN3730UFB4-7B Diodes Inc. 小信号電界効果トランジスタ, 0.75A I(D), 30V, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET
DMN2450UFB4-7B Diodes Inc. Nチャネル 20V 400mΩ 表面実装 エンハンスメントモードMOSFET - X2-DFN1006-3
AO4803 Alpha & Omega Semiconductor パワー電界効果トランジスタ, 5A I(D), 30V, 0.052Ω, 2素子, Pチャネル, シリコン, トレンチMOSFET FET
SUB85N04-03 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 85A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB