MOSFET

型番 メーカー 概要
SQJ479EP-T1_GE3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 32A I(D), 80V, 0.033ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 2-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SIHG20N50C-E3 Vishay SIHG20N50C-E3 N-チャネル MOSFET トランジスタ, 20 A, 500 V, 3-ピン TO-247AC
SIHFR014TR-GE3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 7.7A I(D), 1-素子, N-チャネル, 金属酸化膜半導体FET
SI7100DN-T1-E3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 26.1A I(D), 8V, 0.0035ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI4599DY-T1-GE3 Vishay SI4599DY-T1-GE3 2回路 N/P-チャネル MOSFET トランジスタ,4.7 A,6.8 A,40V,8-ピン SOIC
SI4420BDY-T1-E3 Vishay Si4420BDY シリーズ 30 V 9.5 A 8.5 mOhm 表面実装 N-チャネル MOSFET - SOIC-8
SI4134DY-T1-GE3 Vishay MOSFETトランジスタ N-CH 30V 9.9A 8ピン SOIC N T/R/MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI2307DS-T1 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 3A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236
SI2305DS-T1-E3 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, トレンチ MOSFET, TO-236
IRFR110 Vishay パワー電界効果トランジスタ, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
IRFL9014TRPBF Vishay パワー電界効果トランジスタ, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-261AA
IRF9530PBF Vishay パワー MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
IRF644PBF Vishay MOSFETトランジスタ N-CH Si 250V 14A 3ピン(3+タブ) TO-220AB/MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
ZXMN6A09KTC Diodes Inc. 小信号 電界効果トランジスタ, 7.3A I(D), 60V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
ZXMN6A07FTA Diodes Inc. MOSFETトランジスタ N-CH 60V 1.2A 車載 3ピン SOT-23 T/R
STP55NF06 STMicroelectronics MOSFETトランジスタ N-CH 60V 50A 3ピン(3+タブ) TO-220AB チューブ/MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
STFW3N150 STMicroelectronics STFW3N150 N-チャネル MOSFET トランジスタ, 2.5 A, 1500 V, 3-ピン TO-3PF
STF26NM60N STMicroelectronics STF26NM60N N-チャネル MOSFET トランジスタ, 20 A, 600 V, 3-ピン TO-220FP
STB55NF06T4 STMicroelectronics STB55NF06T4 N-チャネル MOSFET トランジスタ, 50 A, 60 V, 3-ピン D2PAK