MOSFET

型番 メーカー 概要
NID9N05CLT4G onsemi パワー MOSFET 9.0 A, 52 V, N-チャネル, ロジック レベル, Clamped MOSFET 付きESD 保護
NDT456P onsemi トランジスタ MOSFET P-チャネル 30V 7.5A 3W (Ta) 表面実装 SOT-223-4
NDC652P onsemi 小信号 電界効果トランジスタ, 2.4A I(D), 30V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
MCH6321-TL-E onsemi MCH6321-TL-E P-チャネル MOSFET トランジスタ, 4 A, 20 V, 6-ピン MCPH
MCH3475-TL-E onsemi MCH3475-TL-E N-チャネル MOSFET トランジスタ, 1.8 A, 30 V, 3-ピン MCHP
FDU8770 onsemi パワー電界効果トランジスタ, 35A I(D), 25V, 0.0055ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-251AA
FDN338P onsemi P-チャネル 2.5V SPECIFIED パワーTRENCH MOSFET 小信号電界効果トランジスタ, 1.6A I(D), 20V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
FDMS8660AS onsemi パワー電界効果トランジスタ, 28A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
FDMS8027S onsemi シングル N-チャネル 30 V 2.5 W 31 nC パワーTRENCH 表面実装 MOSFET - パワー 56-8
FDMC86116LZ onsemi トランジスタ, MOSFET, N-チャネル, シールド ゲート, パワーTRENCH, 100V, 7.5A, 103MOHM
2N7002MTF onsemi N-チャネル 小信号 MOSFET 小信号 電界効果トランジスタ, 0.115A I(D), 60V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
SI9926DY onsemi パワー電界効果トランジスタ, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
NVTR4502PT1G onsemi 1回路 P-チャネル パワー MOSFET -30V, -1.95A, 200mΩ 車載 バージョン の the NTR4502P.
NVB190N65S3F onsemi 1回路 N-チャネル パワー MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK
NTMFS6H824NT1G onsemi パワー MOSFET, 1回路 N-チャネル, 80V, 103A, 4.5mΩ
NTH4L040N120M3S onsemi TO-247-4 シリコン Carbide 電界効果トランジスタ (MOSFET) RoHS
NDS331N onsemi トランジスタ MOSFET N チャネル 20 Volt 1.3 アンプ 3-ピン Supersot Tape / Reel
FQB6N80TM onsemi N-チャネル パワー MOSFET, QFET®, 800 V, 5.8 A, 1.95 Ω, D2PAK
FQA28N50F onsemi Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-ピン (3+タブ) TO-3PN レール
FDU8580 onsemi 20V,35A,9 OHM, NCH パワー TRENCH MOSFET