MOSFET

型番 メーカー 概要
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon シングル Nチャネル 600V 2.1Ω 6.7 nC CoolMOS Power MOSFET - TO-252-3, PG-TO252-3, RoHS
BUZ31 Infineon SIPMOS POWER トランジスタ パワー電界効果トランジスタ, 14.5A I(D), 200V, 0.2Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
BTS113A Infineon パワー電界効果トランジスタ, 11.5A I(D), 60V, 0.17Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
BSS84PH6327XTSA2 Infineon MOSFET Pチャネル 60V 0.17A SOT23/トランジスタ MOSFET Pチャネル 60V 0.17A 車載 3-ピン SOT-23 T/R
AUIRF2807 Infineon 車載 GRADE HEXFET POWER MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 75V, 0.013Ω, 1素子, Nチャネル, シリコン, MOSFET, TO-220AB
IRLZ24NPBF Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
IRLU3714ZPBF Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 30A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-251AA
IRLML5103TRPBF Infineon HEXFET パワーMOSFET 小信号電界効果トランジスタ, 0.76A I(D), 30V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236AB
IRLH5030TRPBF Infineon シングル N-チャネル 100 V 9.9 mΩ 44 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRL3715ZSPBF Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 50A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
IRFS3006TRL7PP Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263
IRFR2405PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
IRFP4668PBF Infineon IRFP4668PBF N-チャネル MOSFET トランジスタ, 130 A, 200 V, 3-ピン TO-247AC
IRFP150MPBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-247AC
IRFH7545TRPBF Infineon シングル N-チャネル 60 V 5.2 mΩ 73 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRFH5025TRPBF Infineon シングル N-チャネル 250 V 100 mΩ 37 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRFB4310PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
IRF9540NSTRR Infineon パワー電界効果トランジスタ, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
IRF7828PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 13.6A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
IRF7604 Infineon パワー電界効果トランジスタ, 3.6A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET