MOSFET

型番 メーカー 概要
IRLH5030TRPBF Infineon シングル N-チャネル 100 V 9.9 mΩ 44 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRL3715ZSPBF Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 50A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
IRFS3006TRL7PP Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263
IRFR2405PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
IRFP4668PBF Infineon IRFP4668PBF N-チャネル MOSFET トランジスタ, 130 A, 200 V, 3-ピン TO-247AC
IRFP150MPBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-247AC
IRFH7545TRPBF Infineon シングル N-チャネル 60 V 5.2 mΩ 73 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRFH5025TRPBF Infineon シングル N-チャネル 250 V 100 mΩ 37 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
IRFB4310PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
IRF9540NSTRR Infineon パワー電界効果トランジスタ, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
IRF7828PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 13.6A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
IRF7604 Infineon パワー電界効果トランジスタ, 3.6A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
IRF7341TRPBF Infineon ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
IRF7210 International Rectifier ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
IRF7204 Infineon パワー電界効果トランジスタ, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
IRF7104 International Rectifier パワー電界効果トランジスタ, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
IRF6218STRLPBF Infineon HEXFET パワー SMPS MOSFET パワー 電界効果 トランジスタ, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
IRF5802TRPBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MO-193AA
IRF3717PBF Infineon パワー電界効果トランジスタ, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
IPD50P04P4-13 Infineon パワー電界効果トランジスタ, 50A I(D), 40V, 0.0126ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252